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铁电随机存储器
Product Series
FeRAM的特长
四个重要特长
非易失性
1）电源关闭时存储的数据不会消失
2）下电时不需要备用电池来保留数据
2）下电时不需要备用电池来保留数据
快速写入速度
1）启用无需擦除操作即可覆盖数据
2）无需等待时间进行擦除/写入操作
2）无需等待时间进行擦除/写入操作
高读/写耐久性
1）保证10万亿 (1013) 读/写周期
2）是EEPROM读写耐久性的1000万倍
2）是EEPROM读写耐久性的1000万倍
低功耗
1）没有用于写操作的升压电路
2）比EEPROM减少92％的写入功耗
3）没有为保持数据而需要的数据保持电流
2）比EEPROM减少92％的写入功耗
3）没有为保持数据而需要的数据保持电流
FeRAM解决客户问题的方法
如果您的产品正在使用EEPROM或SRAM，并有下列其中一的任何问题，请考虑使用我们的FeRAM作为您的解决方案。请参考下面显示的FeRAM与其他存储器之间的比较以及FeRAM白皮书
客户问题及解决方案
FeRAM和其他内存的比较
特长比较
| FeRAM | EEPROM | FLASH | SRAM | |
| 记忆类型 | 非易失性 | 非易失性 | 非易失性 | 易失性 |
| 数据写入方法 | 覆盖式写入 | 擦除+写入 | 擦除+写入 | 覆盖式写入 |
| 数据写入周期时间 | 150ns | 5ms | 10µs | 55ns |
| 读写耐久性 | 10万亿次 | 100万次 | 10万次 | 无限次 |
| 电荷泵 (升压) 电路 | 无需 | 需要 | 需要 | 无需 |
| 数据保护后备电池 | 无需 | 无需 | 无需 | 需要 |
串口FRAM vs. EEPROM /闪存
与传统的非易失性存储器 (如EEPROM和闪存) 相比，FeRAM具有更快的写入速度，更高的耐久性和更低的功耗等优点。采用FeRAM代替EEPROM和闪存具有以下优势。
1.性能改进
由于快速的写入速度，即使在突然停电的情况下，FeRAM可以保存写入数据。不仅如此，FeRAM可记录数据比EEPROM和闪存更频繁。写入数据时，EEPROM和闪存需要高电压，从而比FeRAM消耗更多的功率。因此，通过使用FRAM，在电池供电的小型设备中的电池寿命可以延长。总之，FeRAM是;
在突然停电时FeRAM可以保存写入数据
可以进行频繁的数据记录
可以延长电池供电设备的电池寿命
可以进行频繁的数据记录
可以延长电池供电设备的电池寿命
2.降低总成本
在工厂中将参数写入每个产品的情况下，由于FeRAM与EEPROM和闪存相比可以缩短写入时间，因此FeRAM可以有助于降低制造成本。此外，FeRAM可以为您提供单一芯片解决方案从而代替多芯片解决方案，例如，由EEPROM + Flash组成的两个芯片方案，或由EEPROM + SRAM +电池组成的三个器件方案。
缩短在每个产品中写入参数的总时间
减少最终产品中使用的元器件数量
减少最终产品中使用的元器件数量
并口FeRAM vs. SRAM
具有并行接口的FeRAM与电池备用SRAM兼容，可以替代SRAM。通过用FeRAM代替SRAM，客户可以期望以下优势。
1.降低总成本
使用SRAM的系统需要持续检查电池状态。如果用FeRAM替换后，客户可以从维护电池检查的负担中解放出来。此外，FeRAM不需要电池插座和防回流二极管，同时省去二者的安装空间。
FeRAM的单一芯片解决方案可以减少空间和成本。
FeRAM的单一芯片解决方案可以减少空间和成本。
免维护：无需更换电池
设备小型化：可以减少最终产品的元器件数量
设备小型化：可以减少最终产品的元器件数量
2.环保产品
废旧电池会成为工业废料。通过用FeRAM替换SRAM +电池，可以减少备用电池。
减少电池处理
* EEPROM: Electronically Erasable and Programmable Read-Only Memory
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