完善成熟SiC产品线,泰科天润高压二极管系列了解一下

Time:2020.09.04

泰科天润碳化硅肖特基二极管目前主要分为650V/1200V/1700V/3300V四个电压等级,其中有针对普通应用场合的650V/1200V电压等级产品,以及针对于高压应用领域的1700V/3300V电压等级产品。泰科天润650V/1200V电压等级的产品已经广泛应用于光伏、通信、电动汽车等应用领域,此外公司的高电压的1700V/3300V电压等级产品也同样成熟,1700V碳化硅肖特基二极管产品型号齐全,也是同行中极少数可以批量供货3300V碳化硅产品的功率半导体器件厂商。

● 1700V碳化硅肖特基二极管的应用

完善成熟SiC产品线,泰科天润高压二极管系列了解一下(图1)

表1:泰科天润1700V碳化硅肖特基二极管产品


1700V产品目前主要应用于光伏、风力发电、轨道牵引等领域,也可针对特殊应用提供双面银芯片定制服务。泰科天润1700V产品对比同类产品VF约低8-10%,浪涌电流能力约高50-100%,对比数据如下:

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表2:泰科天润1700V碳化硅肖特基二极管与同类产品数据对比


1700V碳化硅二极管在光伏逆变器中的应用

到目前为止,光伏逆变器技术已经非常成熟,光伏逆变器的研发即将进入深层次阶段,以适应光伏逆变器所持续追寻的目标,包括高效、高功率密度、高可靠性和低成本等。然而,现有光伏逆变器普遍采用Si器件,经过40多年的发展,Si器件性能已经接近理论极限。未来需要从根本上提升光伏逆变器的性能,SiC等宽禁带器件成为必然的趋势。此外,研究表明SiC 器件不仅能全面提升逆变器的性能,而且还能实现比采用Si器件的逆变器更低的整机成本。因此,SiC器件在光伏逆变器中的应用已崭露头角。


目前在大功率光伏逆变器中需要使用更多的光伏电池组和三相逆变输出,最大母线电压会达到1000V,所以主要使用1200V电压等级的功率器件,使用IGBT+SiC SBD方案,拓扑如下。

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目前光伏和传统能源竞争越来越激烈,光伏则迎来了新一轮的创新:1500V光伏逆变器系统。主流的电站设计以及光伏组件、逆变器、汇流箱、线缆等所有相关产品均基于直流端1000V的电压要求设计和制造。光伏电站要降本增效,升高电压是降低线损的有效措施之一。从系统的角度来看,更高的输入、输出电压等级,可以降低交直流侧线损及变压器低压侧绕组损耗,电站的系统效率预期可以提升1.5%--2%。同时,设备(逆变器、变压器)的功率密度提升,体积减小,运输、维护等方面工作量也减少,有利于光伏系统成本的降低。


传统的1000V系统单串组件数量是22块,而1500V系统可以将数量扩充至32块。子串数量减少,逆变器、汇流箱以及直流侧线缆的用量也随之减少。同样随着电压升高到1500V,相关的功率器件则需要选用1700V功率器件。泰科天润的1700V/10A(G3S17010P)、1700V/20A(G3S17020PP)和1700V/50A(G3S17050P)产品便可搭配IGBT/SiC MOSFET应用于此。此外对于1500V光伏系统的辅助电源而言,1700V的碳化硅二极管也是一个很好的选择。


● 3300V碳化硅肖特基二极管的应用


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表3:泰科天润3300V碳化硅肖特基二极管产品


3300V产品目前应用于机车牵引,高压电源,整流模块等领域。泰科天润是行业内极少数可量产供应3300V碳化硅二极管产品的公司。

以上3300V碳化硅二极管可针对特殊应用进行双面银芯片产品、高压二极管模组等特殊封装的定制服务。

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END


关于泰科天润

富士通电子旗下代理品牌泰科天润半导体科技(北京)有限公司(Global Power Technology),是中国碳化硅(SiC)功率器件产业化的倡导者之一。泰科天润致力于中国半导体功率器件制造产业的发展,并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。

泰科天润总部坐落于中国北京中关村东升科技园北领地内,园区环境优雅。泰科天润在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂,可在4/6英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。

作为国内碳化硅研发生产和平台服务型公司,泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。目前泰科天润的碳化硅器件650V/2A-100A,1200V/2A-50A,1700V/5A -50A,3300V/0.6A-50A等系列的产品已经投入批量生产,产品质量完全可以比肩国际同行业的先进水平。泰科天润通过与产业同行、科研院所、国内外专家共同探索与开发,正在将SiC功率器件推广到更多更广的应用领域。




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